磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-161823
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032713
出願日： 2013年08月02日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：

【課題】低飽和磁化かつ高垂直磁気異方性を有する磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。【解決手段】第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を備え、前記第1磁性層は、Mnと、Gaと、Al、Ge、Ir、Cr、Co、Pt、Ru、Pd、Rh、Ni、Fe、Re、Au、Cu、B、C、P、Gd、Tb、およびDyの群から選択される少なくとも1つの元素と、を含む磁性膜を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を備え、前記第1磁性層は、Mnと、Gaと、Al、Ge、Ir、Cr、Co、Pt、Ru、Pd、Rh、Ni、Fe、Re、Au、Cu、B、C、P、Gd、Tb、およびDyの群から選択される少なくとも1つの元素と、を含む磁性膜を備えている磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (33件)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD17 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 5F092AA15 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB24 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BE02 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE15 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092CA40

引用特許：

出願人引用 (4件)

スピントランジスタ、集積回路、及び、磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-244760 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果型磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-318875 出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-209986 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

スピントランジスタ、集積回路、及び、磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-244760 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果型磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-318875 出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-209986 出願人：株式会社東芝

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