特許
J-GLOBAL ID：201503088253184920
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-210963
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003341
特許番号：特許第5651758号
出願日： 2013年10月08日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体を含むn形半導体層と、
窒化物半導体を含むp形半導体層と、
前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられ、n側障壁層と、第1発光層と、を含む発光部であって、前記第1発光層は、
前記n側障壁層と前記p形半導体層との間に設けられた第1障壁層と、
前記n側障壁層と前記第1障壁層との間においてn側障壁層に接する第1井戸層と、
前記第1井戸層と前記第1障壁層との間に設けられ、Alz1Ga1-z1N(0.25<z1≦1)を含む第1AlGaN層と、
前記第1AlGaN層と前記第1障壁層とに接する第1窒化物半導体層と、
を含む発光部と、
を備え、
前記発光部から放出される光のピーク波長λpは、515ナノメートルよりも長く、
前記第1AlGaN層の厚さのばらつきは、前記第1AlGaN層の平均の厚さのプラスマイナス33%以下であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 33/06 ( 201 0.01)
H01L 33/00 186
, H01L 33/00 112
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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