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J-GLOBAL ID：201602206213841208   整理番号：16A0380130

3D Geチャネルのラインエッジ粗さ低減と表面平坦化のための新しいウエハスケール均一レーヤバイレーヤエッチング技術

Novel Wafer-Scale Uniform Layer-by-Layer Etching Technology for Line Edge Roughness Reduction and Surface Flattening of 3D Ge Channels

著者 (8件)： MORITA Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OTA H. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIZUBAYASHI W. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  O’UCHI S. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA M. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ENDO K. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 390-393  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィンおよびナノワイヤGeチャネルを持つ14nmノード技術以降においては,数ナノメートルオーダーのラインエッジ粗さ(LER)の平滑なエッチングが必要である。本研究では,GeとSi表面のO₂エハスケール均一レーヤバイレーヤエッチング技術について検討した。Geの場合,10^-6Torr O₂と温度500~720°Cで1nm/minのエッチング速度で原子的にフラットなステップテラス面を得た。エッチング速度はO₂圧にだけ依存し,大型ウエハの温度不均一には影響を受けない。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  フィン ,  ナノワイヤ ,  表面粗さ ,  加工速度 ,  分圧 ,  酸素 ,  ゲルマニウム ,  *ナノメータ加工 ,  ナノテクノロジー ,  *エッチング ,  酸素分圧
準シソーラス用語： *FinFET ,  *エッチング速度 ,  ナノワイヤFET ,  ラインエッジ粗さ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 3D ,  Ge ,  チャネル ,  ラインエッジ粗さ ,  平坦化 ,  ウエハ ,  スケール