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J-GLOBAL ID:201602206232758044   整理番号:16A0251765

超並列電子線描画装置用nc-Si(ナノシリコン)面電子源のためのMEMS静電コンデンサレンズアレイの開発

著者 (8件):
資料名:
巻: 32nd  ページ: ROMBUNNO.28PM3-B-2  発行年: 2015年10月21日 
JST資料番号: X0768B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  電子ビーム・イオンビームの応用  ,  電子源,イオン源 

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