特許
J-GLOBAL ID：201603000367291525
AlN結晶基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-129936
公開番号（公開出願番号）：特開2013-252997
特許番号：特許第6019777号
出願日： 2012年06月07日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiC下地基板のC原子面である主面上に、まず単結晶が成長する条件で次に多結晶が成長する条件で、第1のAlN結晶を成長させる工程と、
前記第1のAlN結晶の結晶成長主面を平坦化する工程と、
前記第1のAlN結晶から前記SiC下地基板を除去することにより第1のAlN結晶基板を形成する工程と、
前記第1のAlN結晶基板のAl原子面である第1の主面上に、第2のAlN結晶を成長させる工程と、
前記第2のAlN結晶から第2のAlN結晶基板を形成する工程と、を含み、
前記第2のAlN結晶を成長させる工程において、前記第1のAlN結晶基板より大口径のBN多結晶基板上に前記第1のAlN結晶基板をその第1の主面が露出するように配置し、前記第1のAlN結晶基板の第1の主面上には単結晶領域を成長させ、前記BN多結晶基板の露出している主面上には多結晶領域を成長させ、
前記第1のAlN結晶基板は、Al原子面である第1の主面を有する単結晶領域と、第2の主面を有する多結晶領域と、を含み、
前記第2のAlN結晶基板は、Al原子面である第1の主面を有する単結晶領域と、その単結晶領域の外周側面に配置されている多結晶領域と、を含むAlN結晶基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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