特許
J-GLOBAL ID：201603001171453604

半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

発明者：
小倉 慎太郎

小倉 慎太郎 について

, 
笹島 亮太

笹島 亮太 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-203831
公開番号（公開出願番号）：特開2016-072587
出願日： 2014年10月02日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：
【課題】 基板上に膜を形成する際におけるパーティクルの発生を抑制する。【解決手段】 処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、処理室内から原料ガスを排出する工程と、処理室内の基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、処理室内から酸素含有ガスを排出する工程と、処理室内の基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、処理室内から水素含有ガスを排出する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで基板上に膜を形成する工程を有し、酸素含有ガスを排出する工程および水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、原料ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、 前記処理室内から前記原料ガスを排出する工程と、 前記処理室内の前記基板に対して酸素含有ガスを供給する工程と、 前記処理室内から前記酸素含有ガスを排出する工程と、 前記処理室内の前記基板に対して水素含有ガスを供給する工程と、 前記処理室内から前記水素含有ガスを排出する工程と、 を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで前記基板上に膜を形成する工程を有し、 前記酸素含有ガスを排出する工程および前記水素含有ガスを排出する工程におけるガス排出効果および効率のうち少なくともいずれかを、前記原料ガスを排出する工程におけるそれ若しくはそれらよりも大きくする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/455
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/314 A ,  H01L21/318 C ,  C23C16/455
Fターム (37件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EE12 ,  5F045EE15 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EG06 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF37
引用特許：
審査官引用 (6件)
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