特許
J-GLOBAL ID：201603002034242180
III族窒化物半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-208357
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063891
特許番号：特許第5874592号
出願日： 2012年09月21日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】発光層と、その発光層上にAlを含むIII 族窒化物半導体からなるpクラッド層と、そのpクラッド層上にIII 族窒化物半導体からなるpコンタクト層とを有したIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記pクラッド層は、
前記発光層上にMOCVD法によって第1pクラッド層を形成する前段工程と、
前記第1クラッド層上にMOCVD法によって第2pクラッド層を形成する後段工程と、
により形成し、
後段工程でのMgドーパントガスの供給量は、前段工程でのMgドーパントガスの供給量の半分以下にして、
前記発光層と前記第1pクラッド層との界面から前記pコンタクト層側に向かって急峻にMg濃度を上昇させた後、一定のMg濃度を保ってpクラッド層における厚さ方向のMg濃度を均一として、その後前記第2pクラッド層と前記pコンタクト層との界面付近で急峻にMg濃度を減少させたMg濃度分布を得る
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 33/00 186
, H01L 21/205
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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