特許
J-GLOBAL ID：200903009257716492
窒化物半導体発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
角田 嘉宏
, 古川 安航
, 西谷 俊男
, 幅 慶司
, 内山 泉
, 是枝 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170221
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353690
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】基板から漏出する光(迷光)を抑制することで低ノイズ化を実現し、またレーザ結晶表面の平坦化を促進することで、レーザの特性・歩留りを向上し、高温および高光出力動作においても長寿命化が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子1において、窒化物半導体からなる基板11と、前記基板11の上面に接するように形成され、p型不純物を含む窒化物半導体からなる迷光抑制平坦化層12と、前記迷光抑制平坦化層12の上に形成され、第1の導電型不純物を含む窒化物半導体からなる第1のクラッド層14と、前記第1のクラッド層14の上に形成された活性層16と、前記活性層16の上に形成され、第2の導電型不純物を含む窒化物半導体からなる第2の導電型クラッド層20と、を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる基板と、
前記基板の上面に接するように形成され、p型不純物を含む窒化物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の上に形成され、第1の導電型不純物を含む窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、
前記第1のクラッド層の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成され、第2の導電型不純物を含む窒化物半導体からなる第2の導電型クラッド層と、を備える窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F173AA08
, 5F173AG01
, 5F173AG08
, 5F173AG12
, 5F173AG17
, 5F173AH22
, 5F173AJ04
, 5F173AJ13
, 5F173AJ42
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP33
, 5F173AP76
, 5F173AP78
, 5F173AP82
, 5F173AR93
, 5F173AR99
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (7件)
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