特許
J-GLOBAL ID：201103058147003783

III族窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者：
酒井 浩光

酒井 浩光 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-062680
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198931
出願日： 2010年03月18日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】高い発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型半導体層と多重量子井戸構造からなる活性層とを順次積層した後、前記活性層の表面に、Mg源を含むドーパントガスを第1の流量で供給する工程と、Ga源、Al源及び窒素源を含む原料ガスを連続的に供給するとともに、ドーパントガスを前記第1の流量より低い第2の流量で間欠的に供給するMOCVD法により、前記活性層上に、AlxGa1-xNなる組成(組成比を示すxは0 請求項（抜粋）：
n型半導体層と多重量子井戸構造からなる活性層とを順次積層した後、 前記活性層の表面に、Mg源を含むドーパントガスを第1の流量で供給する工程と、 Ga源、Al源及び窒素源を含む原料ガスを連続的に供給するとともに、前記ドーパントガスを前記第1の流量より低い第2の流量で間欠的に供給するMOCVD法により、前記活性層上に、AlxGa1-xNなる組成(組成比を示すxは0 IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 186
Fターム (5件)：
5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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