特許
J-GLOBAL ID：201603002799761150

半導体装置

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について

, 
野田 耕生

野田 耕生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-154255
公開番号（公開出願番号）：特開2016-195280
出願日： 2016年08月05日
公開日（公表日）： 2016年11月17日
要約：
【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にU字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して3倍以上、好ましくは5倍以上、さらに好ましくは10倍以上の長さとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電膜と、 第2の導電膜と、 前記第1の導電膜上に接する第3の導電膜と、 前記第2の導電膜上に接する第4の導電膜と、 前記第1の導電膜、前記第2の導電膜、前記第3の導電膜及び前記第4の導電膜上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜を介して前記第1の導電膜及び前記第3の導電膜と重なる半導体膜と、を有し、 前記第1の導電膜は、前記第1の絶縁膜と接する第1の領域と、前記第3の導電膜を介して前記第1の絶縁膜と重なる第2の領域とを有し、 前記第2の導電膜は、前記第1の絶縁膜と接する第3の領域と、前記第4の導電膜を介して前記第1の絶縁膜と重なる第4の領域とを有し、 前記半導体膜は、トランジスタのチャネル形成領域として機能する領域を有し、 前記第2の導電膜及び前記第4の導電膜は、容量素子の一方の電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (12件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105
FI (15件)：
H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441
Fターム (156件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD91 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF26 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP75 ,  5F083GA01 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA15 ,  5F083ZA20 ,  5F101BA17 ,  5F101BD07 ,  5F101BD13 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD39 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF08 ,  5F101BF09 ,  5F101BH16 ,  5F101BH26 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE28 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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