特許
J-GLOBAL ID:200903017147786307
ワークの分割方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
松本 昂
, 伊藤 憲二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-069118
公開番号(公開出願番号):特開2009-224659
出願日: 2008年03月18日
公開日(公表日): 2009年10月01日
要約:
【課題】 研削加工時にチップ飛びを起こさず、保護膜からチップを剥離する際にチップにダメージを与えないワークの分割方法を提供することである。【解決手段】 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたワークを個々のチップに分割するワークの分割方法であって、ワークの前記分割予定ラインを切削してチップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成し、無溶剤の親水性樹脂を液体又は粘弾性体の状態で前記ワークの前記切削溝が形成されている表面に塗布し、前記親水性樹脂を硬化させ、前記ワークの裏面を研削して該ワークの表面に形成された前記切削溝を裏面に表出させて該ワークを個々のチップに分割し、前記親水性樹脂を40°C以上の温水に接触させることにより、前記各チップから除去する、各工程を具備したことを特徴とする。【選択図】図5
請求項(抜粋):
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたワークを個々のチップに分割するワークの分割方法であって、
ワークの前記分割予定ラインを切削してチップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成し、
無溶剤の親水性樹脂を液体又は粘弾性体の状態で前記ワークの前記切削溝が形成されている表面に塗布し、
前記親水性樹脂を硬化させ、
前記ワークの裏面を研削して該ワークの表面に形成された前記切削溝を裏面に表出させて該ワークを個々のチップに分割し、
前記親水性樹脂を40°C以上の温水に接触させることにより、該親水性樹脂を前記各チップから除去する、
各工程を具備したことを特徴とするワークの分割方法。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L21/78 Q
, H01L21/78 M
引用特許:
出願人引用 (5件)
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特開昭62-4341号公報
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特開昭64-38209号公報
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半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-236260
出願人:株式会社東芝
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審査官引用 (8件)
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