有機半導体膜の製造方法、製造装置および電気二重層トランジスタ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田正義 , 今枝弘充 , 梅村裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-031980
公開番号（公開出願番号）：特開2016-154189
出願日： 2015年02月20日
公開日（公表日）： 2016年08月25日
要約：

【課題】被加工面が加工された有機半導体膜を容易に得ることができる有機半導体膜の製造方法、製造装置および電気二重層トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体膜をエッチングする製造装置19において、イオン液体18中で被加工面に電圧を印加することを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

有機半導体膜をイオン液体に浸漬して被加工面をエッチングする工程を備える有機半導体膜の製造方法において、前記イオン液体中で前記被加工面に電圧を印加する工程を含むことを特徴とする有機半導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 51/40 , H01L 51/05 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/28 310K , H01L29/28 100A , H01L29/78 618C , H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T

Fターム (6件)：

5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110FF01 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG22

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の微細加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-258665 出願人：新日本製鐵株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-120176 出願人：ソニー株式会社
金属コーティングを作製するための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2015-515522 出願人：オンデルゾエクセントラム・フォー・アーンウェンディング・ファン・シュタール・エヌ・フェー

引用文献：

審査官引用 (2件)

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