特許
J-GLOBAL ID：201603003543596450
半導体装置及び半導体装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-151152
公開番号（公開出願番号）：特開2016-192577
出願日： 2016年08月01日
公開日（公表日）： 2016年11月10日
要約：
【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する第1のトランジスタと、電気信号を増幅する第2のトランジスタとを有し、受光素子はシリコン半導体を用いて形成され、第1のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されている。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するn層又はp層と、第1のトランジスタとが重なって形成されている。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
光電変換素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域の下方に前記第1のトランジスタのゲート電極が位置し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域の下方に前記第2のトランジスタのゲート電極が位置し、
前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第3のトランジスタのチャネル形成領域の上方に前記第3のトランジスタのゲート電極が位置し、
前記第3のトランジスタのゲート電極の上方に絶縁層が位置し、
前記絶縁層の上方に前記第1のトランジスタのゲート電極が位置し、
前記絶縁層の上方に前記第2のトランジスタのゲート電極が位置し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記光電変換素子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記光電変換素子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 C
, H04N5/335 740
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118CA05
, 4M118CB05
, 4M118CB06
, 4M118CB07
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB24
, 5C024BX01
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GY31
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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