特許
J-GLOBAL ID:201603006370326362

センサIC

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-059904
公開番号(公開出願番号):特開2016-180614
出願日: 2015年03月23日
公開日(公表日): 2016年10月13日
要約:
【課題】被検出体における誘電率変化の面内分布を密に検知し得るセンサICを提供する。【解決手段】センサIC(1A)は、半導体基板(2)の表面に被検出体を接触させて該被検出体による誘電率変化を検知する。半導体基板(2)の表面における同一平面に千鳥状に配置された複数の発振回路(10A)と、半導体基板(2)の表面近傍に存在する被検出体における各部分の誘電率変化の面内分布を、複数の発振回路(10A)の内の1つの基準となる発振回路(10A)との対比により検知する検知回路(22)とが設けられている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板の表面に被検出体を接触させて該被検出体による誘電率変化を検知するセンサICにおいて、 上記半導体基板の表面における同一平面に千鳥状に配置された複数のセンサ回路と、 上記半導体基板の表面近傍に存在する被検出体における各部分の誘電率変化の面内分布を、上記複数のセンサ回路の内の1つの基準となるセンサ回路との対比により検知する検知回路とが設けられていることを特徴とするセンサIC。
IPC (3件):
G01R 27/26 ,  G01R 33/02 ,  G01N 27/22
FI (3件):
G01R27/26 H ,  G01R33/02 E ,  G01N27/22 Z
Fターム (13件):
2G017AD01 ,  2G017AD20 ,  2G017BA03 ,  2G017BA06 ,  2G028BC10 ,  2G028BD04 ,  2G028BE02 ,  2G028CG09 ,  2G028DH14 ,  2G028FK03 ,  2G028MS03 ,  2G060AF03 ,  2G060AF11
引用特許:
審査官引用 (5件)
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