薄膜製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-213146
公開番号（公開出願番号）：特開2016-069722
出願日： 2014年10月01日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：

【課題】スパッタ方法による大面積の水酸化物薄膜を安定的に製造する方法及び大面積の水酸化薄膜を提供する。【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、従来のスパッタリング装置に水蒸気供給機構と水蒸気分圧を制御するための冷却機構を追加することにより、水酸化物薄膜を安定的に製造する方法及び大面積の水酸化薄膜を提供することが出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水蒸気の供給機構と成膜室の内部に室温以下の基板とは分離した冷却部を有する薄膜製造装置

IPC (2件)：

C23C 14/54 , C23C 14/06

FI (2件)：

C23C14/54 B , C23C14/06 K

Fターム (7件)：

4K029AA24 , 4K029BA41 , 4K029CA06 , 4K029DA02 , 4K029DA03 , 4K029DA04 , 4K029DC03

引用特許：

審査官引用 (4件)

蒸気供給装置を含む基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-278168 出願人：キヤノンアネルバ株式会社, キヤノンアネルバテクニクス株式会社
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-137349 出願人：株式会社アルバック
窒化物半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-019550 出願人：松下電器産業株式会社

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