特許
J-GLOBAL ID：201303065841110563

成膜方法

発明者：
倉内 利春

倉内 利春 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 特許業務法人青莪
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-137349
公開番号（公開出願番号）：特開2013-001991
出願日： 2011年06月21日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：
【課題】蒸着法にてITO膜を成膜する場合に、酸素濃度の低下を防止して、ITO膜の低抵抗化を図ることができる成膜方法を提供する。【解決手段】In-Sn-O系の材料を蒸発材料3とし、この蒸発材料3を蒸着室1a内に配置して減圧下にて蒸発させ、この蒸着室1a内に配置した基板W表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、成膜時に蒸着室1a内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入する。蒸着室1a内で水蒸気ガスを導入するガス導入口83aを基板Wの蒸着面に向け、基板Wに向かって直接水蒸気ガスが供給されるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
In-Sn-O系の材料を蒸発材料とし、この蒸発材料を処理室内に配置して減圧下にて蒸発させ、この処理室内に配置した基板表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、 成膜時に処理室内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/08 ,  C23C 14/24 ,  H01B 13/00
FI (3件)：
C23C14/08 D ,  C23C14/24 M ,  H01B13/00 503B
Fターム (13件)：
4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DA06 ,  4K029DA08 ,  4K029EA05 ,  4K029JA02 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04
引用特許：
審査官引用 (18件)
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