特許
J-GLOBAL ID：201603010786356659

半導体片の製造方法

発明者：
皆見 健史

皆見 健史 について

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村田 道昭

村田 道昭 について

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山崎 憲二

山崎 憲二 について

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大塚 勤

大塚 勤 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 片寄 恭三 ,  片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-227664
公開番号（公開出願番号）：特開2016-092314
出願日： 2014年11月10日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
要約：
【課題】使用予定の切削部材が、頂部の領域で最大応力を与えて段差部を破損させる先細り度合の先端形状を有する場合であっても段差部の破損を抑制できる半導体片の製造方法を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、前記基板の裏面から、前記表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、前記表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、前記表面側の溝の幅と前記裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程と、前記裏面側の溝を形成するより前に前記切削部材の先端部を予め加工する加工工程であって、頂部の領域で最大応力を与えて前記段差部を破損させる先細り度合を有する切削部材の先細り度合を小さくすることで、当該頂部の領域で最大応力を与えて前記段差部を破損させない先細りの度合に加工する加工工程とを備える。【選択図】図22
請求項（抜粋）：
基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、 前記基板の裏面から、前記表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、前記表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、前記表面側の溝の幅と前記裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程と、 前記裏面側の溝を形成するより前に前記切削部材の先端部を予め加工する加工工程であって、頂部の領域で最大応力を与えて前記段差部を破損させる先細り度合を有する切削部材の先細り度合を小さくすることで、当該頂部の領域で最大応力を与えて前記段差部を破損させない先細りの度合に加工する加工工程と、 を備える半導体片の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  B24B 27/06
FI (3件)：
H01L21/78 F ,  H01L21/78 Q ,  B24B27/06 M
Fターム (42件)：
3C158AA03 ,  3C158CA01 ,  3C158CA04 ,  3C158CA05 ,  3C158CB02 ,  5F063AA05 ,  5F063BA32 ,  5F063BA33 ,  5F063BA42 ,  5F063BA43 ,  5F063BA45 ,  5F063BA47 ,  5F063BA48 ,  5F063BB02 ,  5F063CB02 ,  5F063CB08 ,  5F063CB23 ,  5F063CB25 ,  5F063DD01 ,  5F063DD02 ,  5F063DD42 ,  5F063DD46 ,  5F063DD47 ,  5F063DD49 ,  5F063DD69 ,  5F063DD85 ,  5F063DE02 ,  5F063DE03 ,  5F063DE11 ,  5F063DE16 ,  5F063DE33 ,  5F063DE34 ,  5F063DF03 ,  5F063DF12 ,  5F063DG13 ,  5F063DG34 ,  5F063EE07 ,  5F063EE21 ,  5F063EE22 ,  5F063EE43 ,  5F063EE44 ,  5F063EE73
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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