半導体ウェーハの評価方法及び製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-118784
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236182
特許番号：特許第5994733号
出願日： 2013年06月05日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウェーハ表面にレジストを塗布する際にレジスト膜の厚さが均一となるウェーハを選別するための半導体ウェーハの評価方法であって、前記半導体ウェーハの重心位置と外形中心位置を算出し、前記重心位置と前記外形中心位置との距離の値によって前記半導体ウェーハを選別し、前記重心位置を、前記半導体ウェーハの厚さ形状から算出することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。

IPC (1件)：