特許
J-GLOBAL ID：201603015086921420
グラフェン電子素子及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-086171
公開番号（公開出願番号）：特開2012-222358
特許番号：特許第6032923号
出願日： 2012年04月05日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極として作用する導電性基板と、
前記基板上に配置されたゲートオキサイドと、
前記ゲートオキサイド上で互いに離隔された一対の第1金属と、
前記第1金属上で、前記第1金属の間に延びたグラフェンチャネル層と、
前記グラフェンチャネル層の両端にそれぞれ配置されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極及びドレイン電極は前記一対の第1金属の真上に形成され、前記グラフェンチャネル層の一部がこれらの間に配置され、
前記ソース電極及びドレイン電極は平面図から見る際、前記一対の第1金属と実質的に同じ形状を有することを特徴とするグラフェン電子素子。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/40 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/28 250 E
, H01L 29/28 310 E
, H01L 29/78 618 A
