半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-159280
公開番号（公開出願番号）：特開2016-039161
出願日： 2014年08月05日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：

【課題】ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗が低減された半導体装置を提供する。【解決手段】GaN系半導体の第1の半導体層10と、第1の半導体層10上に設けられ、第1の半導体層よりもバンドギャップの大きい、GaN系半導体の第2の半導体層12と、第2の半導体層12上に設けられ、少なくともいずれか一方の第2の半導体層12に接する側に、複数の凸部14aおよび16aを有するソース電極14およびドレイン電極16と、ソース電極14とドレイン電極16との間の第2の半導体層上12に設けられるゲート電極18と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN系半導体の第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップの大きい、GaN系半導体の第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に設けられるソース電極およびドレイン電極であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくともいずれか一方の前記第2の半導体層に接する側に、複数の凸部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記第2の半導体層上に設けられるゲート電極と、を備える半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 29/417 , H01L 29/41 , H01L 21/28 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L29/50 J , H01L29/44 S , H01L29/44 L , H01L29/44 P , H01L29/50 M , H01L21/28 301B , H01L29/78 301B

Fターム (47件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104FF06 , 4M104FF11 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104HH15 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GR15 , 5F140AA10 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BH05 , 5F140BH08 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-060848 出願人：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-085473 出願人：古河電気工業株式会社
窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-014696 出願人：沖電気工業株式会社

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