半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：福岡昌浩 , 阿仁屋節雄 , 清野仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-203717
公開番号（公開出願番号）：特開2015-067869
特許番号：特許第5864503号
出願日： 2013年09月30日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板に対して金属元素を含みフッ素非含有の無機系のガスである第1の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して還元性を有する第1の反応ガスを供給する工程と、を含む第1のサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記金属元素を含む第1の膜を形成する工程と、前記基板に対して前記金属元素およびフッ素を含む第2の原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して還元性を有する第2の反応ガスを供給する工程と、を含む第2のサイクルを所定回数行うことで、前記第1の膜上に、前記金属元素を含む第2の膜を形成する工程と、を行うことで、前記基板上に、前記第1の膜と前記第2の膜とが積層されてなる前記金属元素を含む膜を形成する工程を有し、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスのうち少なくともいずれかのガスは、前記金属元素およびアミノ基を含むガスである半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/285 ( 200 6.01) , C23C 16/455 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/455

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-025568
誘電体膜をパッシベーションする方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-535250 出願人：アーエスエムインターナショナルエヌフェー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-190650 出願人：エルピーダメモリ株式会社

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