特許
J-GLOBAL ID：201603016144969221

半導体装置の製造方法

発明者：
小林 勇介

小林 勇介 について

, 
吉村 尚

吉村 尚 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-506233
特許番号：特許第6015745号
出願日： 2013年03月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板の裏面からプロトン注入する注入工程と、 前記注入工程後に、前記半導体基板をアニール炉でアニール処理を行うことによって、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体領域を形成する形成工程と、を含み、 前記アニール炉は、水素ガスによる爆発を防止するための防爆手段を有し、 前記形成工程は、 前記アニール炉の内部に前記水素ガスを導入する前に、前記防爆手段によって、常圧雰囲気において雰囲気内の酸素ガスを窒素ガスで置換し、前記アニール炉の内部の酸素分圧を低減させる第1工程と、 前記第1工程の後、前記アニール炉を水素雰囲気とし、当該水素の容積濃度を6%〜30%とし、300°C〜450°Cのアニール温度で前記アニール処理を行う第2工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01)
FI (15件)：
H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 J ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 655 B
引用特許：
審査官引用 (6件)
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