特許
J-GLOBAL ID：201603017263781440
電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下田 憲次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-254274
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045222
特許番号：特許第6020433号
出願日： 2013年12月09日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電子部品に備えられている、上面にNiめっき層を含む電極と、
前記電極の表面に形成されたはんだバンプとを有し、
前記はんだバンプは、
Biと、前記はんだバンプに占める含有率が5〜20重量%のSnまたは前記はんだバンプに占める含有率が5〜15重量%のInのいずれかとを含み、
前記はんだバンプは更に、Au、Ag、Cu、Sb、Ni、Geを含む候補のうちの少なくとも1種からなる金属を含み、
更に前記電極上面のNiめっき層と前記はんだバンプとの間に、NiとSnとの合金層またはNiとInとの合金層のいずれかを有する
ことを特徴とする電子装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 603 B
, H01L 23/12 501 B
