β-Ga2O3結晶の製造方法及び製造装置並びにるつぼ容器

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-214296
公開番号（公開出願番号）：特開2016-079080
出願日： 2014年10月21日
公開日（公表日）： 2016年05月16日
要約：

【課題】大形かつ高品質のβ-Ga2O3結晶を得ることができるβ-Ga2O3結晶の好適な製造方法、製造装置及びこれに用いるるつぼを提供する。【解決手段】 Pt-Rh系合金るつぼを使用し、酸素雰囲気下において、β-Ga2O3の結晶を育成する。るつぼ容器として、Rh含有量10〜20wt%のPt-Rh系合金るつぼを使用し、VB法またはHB法を適用してβ-Ga2O3結晶を育成することができる。るつぼ容器として、Rh含有量15〜30wt%のPt-Rh系合金るつぼを使用し、CZ法を適用してβ-Ga2O3結晶を育成することができる。るつぼ容器及びダイとして、含有量15〜30wt%のPt-Rh系合金を使用し、EFG(縁端限定成長)法を適用してβ-Ga2O3結晶を育成することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Pt-Rh系合金るつぼを使用し、酸素雰囲気下において、β-Ga2O3の結晶を育成することを特徴とするβ-Ga2O3結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/16 , C30B 11/00 , C30B 15/10 , C30B 15/24

FI (4件)：

C30B29/16 , C30B11/00 C , C30B15/10 , C30B15/24

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077BB10 , 4G077CD01 , 4G077CD04 , 4G077CF10 , 4G077EA07 , 4G077EG02 , 4G077MA02 , 4G077PD01 , 4G077PK07

引用特許：

審査官引用 (8件)

発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-137912 出願人：株式会社光波
β-Ga2O3結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-249890 出願人：株式会社タムラ製作所, 株式会社光波
特開昭55-071700

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