特許
J-GLOBAL ID：201603020092988998
半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 中村 誠
, 野河 信久
, 峰 隆司
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 赤穂 隆雄
, 井上 正
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-060723
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187168
特許番号：特許第5937033号
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1電極と、
金属元素を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に形成された可変抵抗素子と、
を具備し、
前記可変抵抗素子は、
前記第1電極側に形成され、かつ絶縁性金属酸化膜、絶縁性半導体酸化膜、または絶縁性シリケート膜で構成される第1膜と、
前記第2電極側に形成され、前記第1膜における前記金属元素の拡散係数よりも大きい拡散係数を有し、前記第1膜の膜厚よりも厚い膜厚を有し、前記第1膜の抵抗よりも小さい抵抗を有し、かつ硫化物膜またはSe化合物膜で構成される第2膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 14/32 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
H01L 27/10 448
, H01L 27/10 481
, H01L 45/00 Z
, H01L 21/205
, C23C 14/32 F
, H01L 49/00 Z
