特許
J-GLOBAL ID：201603020800664014
高エネルギードーパント注入技術を用いた半導体構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
池田 成人
, 酒巻 順一郎
, 野田 雅一
, 山口 和弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-522811
公開番号（公開出願番号）：特表2016-537809
出願日： 2014年08月29日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
要約：
半導体デバイスは、基板を覆って成長させたエピタキシャル層を有し、各々が第1のドーパント型を有する。エピタキシャル層内に配置された構造は、多数のトレンチを有し、トレンチの各々は、シールド酸化物基質内に配置されたゲート及びソース電極を有する。多数のメサは、1対のトレンチを相互にそれぞれ分離する。第2のドーパント型を有するボディ領域は、エピタキシャル層の上方に配置され、メサの各々を架橋する。第1のドーパント型の高濃度の領域は、エピタキシャル層とボディ領域との間に高エネルギーレベルで注入され、これがデバイスのチャネル中へと拡がる抵抗を減少させる。第1のドーパント型を有するソース領域は、ボディ領域の上方に配置される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を覆って成長させたエピタキシャル層であって、各々が第1の型のドーパントを含んでいる、エピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層内に配置された構造であって、
複数のトレンチであり、前記トレンチの各々が、シールド酸化物基質内に配置されたゲート電極及びソース電極を備えている、複数のトレンチと、
複数のメサであり、前記メサの各々が、前記複数のトレンチのうちの第1のものを前記複数のトレンチのうちの第2のものから分離している、複数のメサと、
を備える、構造と、
前記複数のメサの各々を架橋しているボディ領域であって、前記ボディ領域が、前記エピタキシャル層の上方に配置されており、第2の型のドーパントを含んでいる、ボディ領域と、
前記エピタキシャル層と前記ボディ領域との間に注入されている前記第1の型のドーパントの高濃度の領域と、
前記第1の型のドーパントを含んでおり、前記ボディ領域の上方に配置されたソース領域と、
を具備する、半導体デバイス。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 658A
