特許
J-GLOBAL ID：201603021470158199
成膜装置及び成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-039730
公開番号（公開出願番号）：特開2014-167154
特許番号：特許第5901554号
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 成膜用ガスと反応性ガスを用いて原子層単位で薄膜を形成する成膜装置であって、
成膜容器と、
前記成膜容器内で成膜用の基板を搬送する搬送機構と、
前記成膜容器内の前記基板の搬送経路に沿って設けられる複数の板状の電極板であって、前記電極板それぞれの主表面は前記基板の面に対向するように設けられ、前記電極板それぞれにおいて前記基板の搬送経路を横断する方向に電流が流れて磁界を形成することで前記成膜空間内の反応性ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成電極板と、
前記プラズマ生成電極板と前記搬送経路との間において、前記プラズマから生成されるラジカルが前記基板に供給されるように隙間をあけて前記搬送経路に沿って設けられた複数のインジェクタであって、成膜用ガスの噴射口を有し、前記成膜用ガスを前記基板に向けて供給するインジェクタと、を有し、
前記プラズマ生成電極板それぞれの前記電流が流れて磁界を形成する横断部分は、前記搬送方向に沿った位置に関して、前記インジェクタ間の前記隙間と同じ位置に設けられている、ことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C23C 16/509 ( 200 6.01)
, C23C 16/44 ( 200 6.01)
C23C 16/455
, C23C 16/509
, C23C 16/44 F
