研究者
J-GLOBAL ID：201701000341478228   更新日: 2024年02月01日

林 侑介

Yusuke Hayashi
所属機関・部署：
大阪大学 基礎工学研究科

大阪大学 基礎工学研究科 について


職名： 助教
ホームページURL (1件)： http://www.nano.ee.es.osaka-u.ac.jp/index.html
研究分野 (1件)： ナノ材料科学
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2022 - 2026 結晶のヘテロ極性制御を利用したGaN CMOSモノリシック集積回路化技術の開発
  • 2019 - 2022 積層方向の極性反転を利用したAlN波長変換デバイスの開発
  • 2017 - 2019 表面活性化接合を用いたp型ダイヤモンド/n型AlGaNヘテロ構造紫外発光素子
  • 2014 - 2017 ワンチップ光電融合ルータに向けたシリコン-化合物半導体ハイブリッドデバイスの研究
論文 (37件)：
  • Yudai Nakanishi, Yusuke Hayashi, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yoshikata Nakajima, Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Akira Sakai. Micro- and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates. Journal of Electronic Materials. 2023
  • Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai. Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates. Scientific Reports. 2023. 13. 1
  • Kento Sato, Yusuke Hayashi, Naoki Masaoka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600 K. Scientific Reports. 2023. 13. 1
  • Naoki Masaoka, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. Interface engineering of amorphous gallium oxide crossbar array memristors for neuromorphic computing. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SC. SC1035-SC1035
  • Taishi Ikeuchi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. Gate-tunable plasticity in artificial synaptic devices based on four-terminal amorphous gallium oxide memristors. Applied Physics Express. 2023. 16. 1. 015509-015509
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MISC (20件)：
  • Zexuan Zhang, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai, Vladimir Protasenko, Jashan Singhal, Hideto Miyake, Huili Grace Xing, Debdeep Jena, YongJin Cho. Molecular beam homoepitaxy of N-polar AlN: enabling role of Al-assisted surface cleaning. 2022
  • 山本望, 林侑介, 濱地威明, 中西悠太, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 正直花奈子, 三宅秀人, et al. ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 安達健太, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. 4端子平面型TiO2-xメモリスタ素子におけるゲート制御に基づくシナプス特性の変調. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 池内太志, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗. 4端子平面型アモルファスGaOxメモリスタ素子の開発と抵抗変化特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 藤平哲也, 三宅亮太郎, 谷口奈穂, 上甲守治, 林侑介, 酒井朗. 酸化物四端子型メモリスタの結晶微細構造と電気特性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
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特許 (5件)：
学位 (1件)：
  • 博士(学術) (東京工業大学)
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