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J-GLOBAL ID:201702217398021913   整理番号:17A1003225

ダイヤモンドの浅い窒素空孔中心の電荷安定性に及ぼすラジカル曝露窒化表面の影響

Effect of a radical exposure nitridation surface on the charge stability of shallow nitrogen-vacancy centers in diamond
著者 (19件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 055503.1-055503.4  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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表面近くの負に帯電した窒素空孔(NV-)中心の安定化のために,高周波プラズマから離れて窒素ラジカルを曝露をしたダイヤモンド表面の窒化プロセスを示した。0.9単分子層の高い窒素被覆率では,1keVと2keVの加速電圧を用いた浅い窒素注入で形成した単一のNV-中心に対してそれぞれ0.40±0.06と0.46±0.03の高い平均Rabiコントラストが得られた。これは,交互に成端した表面に対して得られた状態と比較して,ラジカル曝露処理による窒素成端が単一NV-中心に適した電荷状態が表面で生成することを示す。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体の格子欠陥 
引用文献 (18件):

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