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J-GLOBAL ID：201702222982659686   整理番号：17A1374761

Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発

著者 (5件)： 木元健太 (大阪大 大学院工学研究科) ,  武居則久 (大阪大 大学院工学研究科) ,  垣内弘章 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  大参宏昌 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2017  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.G27  発行年： 2017年09月05日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,大規模集積回路の二次元面内での集積化の限界から,チップの三次元積層技術の開発が進められている。中でもウエハ薄化技術の重要性は非常に高く,我々はマイクロ波水素プラズマを用いたSiウエハ薄化法の確立を目指している。本手法は,廉価,無毒性の水素のみを用いた低温,高能率,無歪み加工プロセスである。本発表では,Siウエハ薄化への可否を判断するために必要なSiの加工特性を調べたのでその結果を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  密度 ,  プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  技術開発 ,  *加工性 ,  軽量化 ,  薄板 ,  半導体プロセス ,  プロセス開発
準シソーラス用語： Siウエハ ,  マイクロ波プラズマ ,  高密度 ,  水素プラズマ ,  薄型化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (1件)：

• 山田他, 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集 pp551-552

タイトルに関連する用語 (6件)： Siウエハ ,  プロセス ,  高密度 ,  水素プラズマ ,  エッチング ,  開発