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J-GLOBAL ID：201702230868684445   整理番号：17A0432267

Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング

Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices

著者 (4件)： 渡辺時暢 (静岡大 電子工研) ,  渡辺時暢 (富山大 大学院理工学教育部) ,  堀匡寛 (静岡大 電子工研) ,  小野行徳 (静岡大 電子工研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 471(ED2016 130-142)  ページ： 7-12  発行年： 2017年02月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SOI)MOS p-i-nダイオードに応用し,過渡電流がバックゲート(基板)電圧の極性に強く依存していることを発見した。特に,バックゲート電圧が正のバイアスの場合,界面欠陥への電子の捕獲によって生じる電流のピークが消失する(または非常に小さい)ことが分かり,この特性は捕獲された電子のチャージの効果で与えられる。この結果はバックチャネルの形成の重要性を明らかにし,SOIMOSデバイスのCPのさらなる詳細な解析に対して重要な情報を与える。(著者抄録)

シソーラス用語： *励起 ,  実時間処理 ,  *欠陥 ,  *界面 ,  *SOI構造 ,  *電荷 ,  *MOSFET ,  ウエハ【IC】 ,  バイアス ,  ゲート【半導体】 ,  電子捕獲 ,  *表面準位 ,  *状態密度
準シソーラス用語： *電荷ポンピング ,  界面欠陥 ,  バックゲート ,  SOIウェハ ,  ゲートバイアス ,  界面準位 ,  界面準位密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (28件)：

• J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, Charge pumping in MOS devices, IEEE Trans. Electron Devices, vol.16, no.3, pp.297-302, March 1969.
• A. B. M. Elliot, The use of charge pumping currents to measure surface state densities in MOS transistors, Solid-State Electron., vol.19, no.3, pp.241-247, March 1976.
• G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran and R. F. DeKeersmaecker, A Reliable Approach to Charge-Pumping Measurements in MOS Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, vol.31, no.1, pp.42-53, January 1984.
• G. Van den bosch, G. V. Groeseneken, P. Heremans and H. E. Maes, Spectroscopic charge pumping: A new procedure for measuring interface trap distributions on MOS transistors, IEEE Trans. Electron Devices, vol.38, no.1, pp.1820-1831, August 1991.
• M. G. Ancona, N. S. Saks and D. McCarthy, Lateral distribution of hot-carrier-induced interface traps in MOSFETs, IEEE Trans. Electron Devices, vol.35, no.12, pp.2221-2228, December 1988.

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSデバイス ,  実時間 ,  チャージ ,  ポンピング