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J-GLOBAL ID：201702245934691144   整理番号：17A1007026

水素ラジカルを用いたフォトレジスト除去速度の圧力依存性

Pressure Dependence of Photoresist Removal Rate Using Hydrogen Radicals

著者 (9件)： Yamamoto Masashi (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Shiroi Tomohiro (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Nagaoka Shiro (Department of Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Shikama Tomokazu (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Umemoto Hironobu (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University) ,  Ohdaira Keisuke (Japan Advanced Institute of Science and Technology) ,  Takagi Seiji (Graduate School of Engineering, Osaka City University) ,  Nishiyama Takashi (Graduate School of Engineering, Osaka City University) ,  Horibe Hideo (Graduate School of Engineering, Osaka City University)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 30  号： 3  ページ： 297-301(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトレジストは電子装置の製作のためのリソグラフィプロセスにおいて鍵となる役割を演ずるが,処理の後に除去されなければならない。タングステン熱線触媒上で生成される水素ラジカルを用いた除去法は,通常の方法における若干の環境的および産業上の問題を解決するために効果的である。しかしながら,除去速度は通常の方法のそれほどには良くない。著者らは,除去速度はまさに水素圧の減少によって増大するが,速度の限界は明確でないことを以前に述べた。本研究において,著者らは圧力への除去速度依存性を検討し,増大の上限が0.50Paで達成されることを明らかにした。0.50Paでの除去速度は,表面温度が250°Cのとき,20Paでのそれより8.3倍高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フォトレジスト ,  速度 ,  *ラジカル ,  *水素 ,  圧力効果 ,  表面温度 ,  *リソグラフィー ,  電子装置 ,  タングステン
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,  除去速度 ,  *水素ラジカル ,  *リソグラフィー技術 ,  熱線

著者キーワード (5件)： Photoresist ,  Removal ,  Hydrogen radical ,  Hydrogen pressure ,  Environment

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

引用文献 (17件)：

• 1. H. Morinaga, T. Futatsuki, T. Ohmi, E. Fuchita, M. Oda, and C. Hayashi, J. Electrochem. Soc., 142 (1995) 966.
• 2. K. Hirose, H. Shimada, S. Shimomura, M. Onodera, and T. Ohmi, J. Electrochem. Soc., 141 (1994) 192.
• 3. H. Horibe, T. Kamimura, and K. Yoshida, J. Photopolym. Sci. Technol., 18 (2005) 181.
• 4. M. A. Worsley, S. F. Bent, N. C. M. Fuller, and T. Dalton, J. Appl. Phys., 100 (2006) 083301.
• 5. K. Shinagawa, H. Shindo, K. Kusaba, T. Koromogawa, J. Yamamoto, and M. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2001) 5856.

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素ラジカル ,  フォトレジスト ,  除去速度 ,  圧力依存性