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J-GLOBAL ID：201702247122860522   整理番号：17A0955223

ライン互換性のある不揮発性メモリ用途のバックエンドのためのSiCOHベースの抵抗ランダムアクセスメモリ

SiCOH-based resistive random access memory for backend of line compatible nonvolatile memory application

著者 (6件)： ZHENG Liang (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  DAI Ya-Wei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YU Lin-Jie (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  CHEN Lin (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  SUN Qing-Qing (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG David Wei (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CE10.1-04CE10.3  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCOH低k材料ベースの抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)の抵抗スイッチング特性を調べた。このSiCOHベースのRRAMは,その適用性にとって非常に重要な,バックエンドCMOS技術と完全に互換性がある。ここで実証されたデバイスは,従来のSiO₂ベースのRRAMよりも高いオン/オフ比(約10₂)と周囲環境における高い繰り返し耐久性など,優れた性能特性を有する。まとめると,これらの特性により,本デバイスは次世代不揮発性用途のための有望な候補になる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *RAM【メモリ】 ,  誘電体 ,  *スイッチング ,  *ケイ素化合物 ,  炭素化合物 ,  水酸化物 ,  電子技術 ,  *比率 ,  *疲れ
準シソーラス用語： *抵抗ランダムアクセスメモリ ,  低k誘電体 ,  *抵抗スイッチング ,  CMOS技術 ,  *オンオフ比 ,  繰返し疲労

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (20件)：

• F. Pan, S. Gao, C. Chen, C. Song, and F. Zeng, Mater. Sci. Eng. R 83, 1 (2014).
• Y. T. Chen, B. Fowler, Y. Wang, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 33, 1702 (2012).
• Y. F. Chang, P. Y. Chen, B. Fowler, Y. T. Chen, F. Xue, Y. Z. Wang, F. Zhou, and J. C. Lee, J. Appl. Phys. 112, 123702 (2012).
• A. Mehonic, S. Cueff, M. Wojdak, S. Hudziak, O. Jambois, C. Labbé, B. Garrido, R. Rizk, and A. J. Kenyon, J. Appl. Phys. 111, 074507 (2012).
• F. Zhou, Y. F. Chang, Y. Wang, Y. T. Chen, F. Xue, B. W. Fowler, and J. C. Leel, Appl. Phys. Lett. 105, 163506 (2014).

タイトルに関連する用語 (5件)： 互換性 ,  不揮発性メモリ ,  用途 ,  バックエンド ,  抵抗ランダムアクセスメモリ