文献

J-GLOBAL ID：201702256527542644   整理番号：17A0865303

EB/UV複合リソグラフィによるポジ型レジスト層中へのネガ調パターンの形成

Negative Pattern Formation in Positive Resist Layer by EB / UV Hybrid Lithography

著者 (3件)： Nakano Hiroki (Nagaoka University of Technology) ,  Takahashi Kenta (Nagaoka University of Technology) ,  Kawai Akira (Nagaoka University of Technology)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 29  号： 4  ページ： 603-606(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EB(電子ビーム)パターン照射およびUV(紫外線)露出プロセスの組合せによって,ネガ調パターンをポジ型レジストフィルム中に形成することができる。ノボラック樹脂ベースのレジストフィルムが,熱およびEB照射プロセスによって架橋できることはよく知られている。EB照射およびUV光露出線量を変えることによって,レジストフィルムのTMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)アルカリ性水溶液への溶解抵抗を制御することができる。結果として,EB/UV複合リソグラフィは,単一レジスト層中への異なる高さのパターンの作製のために効果的である。レジストフィルムの線量応答特性を決定する。EB/UV複合リソグラフィにおけるレジストパターンの粗さについても議論する。応用例として,ミクロな方形容器を,バイオエレクトロニクス分野での使用のために作製する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： レジスト ,  パターン形成 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *リソグラフィー ,  *ノボラック ,  電子技術
準シソーラス用語： ネガレジスト ,  パターン生成 ,  ポジ型レジスト ,  *紫外線リソグラフィー ,  バイオエレクトロニクス

著者キーワード (6件)： electron beam lithography ,  photolithography ,  photoresist ,  atomic force microscopy (AFM) ,  surface roughness ,  EB/UV hybrid lithography

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  放射線高分子化学  (CG03050S) ,  フェノール系樹脂  (YH07030X)

引用文献 (5件)：

• 1. W. M. Moreau, "Semiconductor lithography: principle and materials" New York Plenum, (1988).
• 2. K. Reimer, U.Hofmann, M.Jurss, W.Pilz, H.J. Quenzer and B. Wagner, Proc. SPIE, 3226 (1997) 2.
• 3. Y. Choi, T. King, C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices, 49 (2002) 436.
• 4. A. Oshima, S.Ikeda, T.Seguchi, Y. Tabata, Radiat. Phys. Chem., 49 (1997) 279.
• 5. J. Gehring, Radiat. Phys. Chem., 57 (2000) 361.

タイトルに関連する用語 (4件)： EB ,  リソグラフィ ,  ポジ型レジスト ,  ネガ