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J-GLOBAL ID：201702257882713635   整理番号：17A0504156

大面積フレキシブルデバイス応用のためのグラフェンバッファを持つGaNベースの発光ダイオード

GaN-Based Light-Emitting Diodes with Graphene Buffers for Their Application to Large-Area Flexible Devices

著者 (7件)： OHTA Jitsuo (Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo) ,  OHTA Jitsuo (PRESTO, Japan Science and Technology Agency) ,  SHON Jeong Woo (Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo) ,  UENO Kohei (Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo) ,  KOBAYASHI Atsushi (Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo) ,  FUJIOKA Hiroshi (Institute of Industrial Science (IIS), The University of Tokyo) ,  FUJIOKA Hiroshi (ACCEL, Japan Science and Technology Agency)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C  号： 2  ページ： 161-165(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶性GaN膜は,パルススパッタリング蒸着(PSD)によるグラフェンバッファ層の使用により,非晶質基板上でも成長できる。グラフェンバッファ層は,低い基板温度での高度にc軸配向したGaN膜の成長を可能にした。フルカラーのGaNベースのLEDをGaN/グラフェン構造上に作製することができ,それらはうまく動作した。これは,この技法が将来の非晶質基板上の大面積発光ディスプレイに対して有望であることを示すものであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *部材 ,  *窒化ガリウム ,  グラフェン ,  表示装置 ,  非晶質 ,  スパッタ蒸着
準シソーラス用語： *フレキシブルデバイス ,  *GaN ,  大画面ディスプレイ ,  非晶質二酸化ケイ素 ,  スパッタリング蒸着

著者キーワード (4件)： GaN ,  graphene ,  glass ,  pulsed sputtering deposition

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (30件)：

• [1] I. Akasaki and H. Amano, “Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light Emitters,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.36, Part 1, no.9A, pp.5393-5408, 1997.
• [2] S. Nakamura, “The roles of structural imperfections in InGaN-based blue light-emitting diodes and laser diodes,” Science., vol.281, no.5379, pp.956-961, 1998.
• [3] J.W. Shon, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka, “Fabrication of full-color InGaN-based light-emitting diodes on amorphous substrates by pulsed sputtering,” Sci. Rep., vol.4, 5325, 2014.
• [4] J.W. Shon, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka, “Structural properties of GaN films grown on multilayer graphene films by pulsed sputtering,” Appl. Phys. Express, vol.7, no.8, 085502, 2014.
• [5] A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka, “Low temperature epitaxial growth of In[sub 0.25]Ga[sub 0.75]N on lattice-matched ZnO by pulsed laser deposition,” J. Appl. Phys., vol.99, no.12, 123513, 2006.

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  フレキシブルデバイス ,  応用 ,  GaN ,  発光ダイオード