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J-GLOBAL ID：201702259566878340   整理番号：17A0959559

オペランド硬X線光電子分光法によるSiO₂/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー分布観測

Direct Observation of the Energy Distribution of Interface States at SiO₂/4H-SiC Interface: Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study

著者 (4件)： 山下良之 (物質・材料研究機構 半導体デバイス材料グループ) ,  蓮沼隆 (筑波大学) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構 半導体デバイス材料グループ) ,  知京豊祐 (物質・材料研究機構 半導体デバイス材料グループ)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 38  号： 7  ページ： 347-350(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *表面準位 ,  エネルギー分布 ,  *X線光電子分光法 ,  バンドギャップ ,  状態密度 ,  計測
準シソーラス用語： *硬X線光電子分光 ,  *オペランド計測

著者キーワード (8件)： SiO₂/SiC interface ,  interface states ,  photoelectron spectroscopy ,  operando ,  SiO₂/SiC interface ,  interface states ,  photoelectron spectroscopy ,  operando

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

引用文献 (21件)：

• 1) “Yoon Soo Park, in SiC Materials and Devices”, ed. by R.K. Willardson and E.R. Weber (Academic, New York, 1998)
• 2) H. Yano, T. Hirao, T. Kimoto and H. Matsunami: Appl. Phys. Lett. 78, 374 (2001).
• 3) D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda and K. Takatori: Nature 430, 1009 (2004).
• 4) P. Mélinon, B. Masenelli, F. Tournus and A. Perez: Nat. Mater. 6, 479 (2007).
• 5) V. Presser and K.G. Nickel: Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 33, 1 (2008).

タイトルに関連する用語 (7件)： オペランド ,  硬X線光電子分光 ,  SiO2 ,  界面 ,  界面準位 ,  エネルギー分布 ,  観測