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J-GLOBAL ID：201702261180254400   整理番号：17A0955181

トンネル電界効果トランジスタのバイアス温度不安定性

Bias temperature instability in tunnel field-effect transistors

著者 (14件)： MIZUBAYASHI Wataru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MORI Takahiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Koichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ISHIKAWA Yuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MORITA Yukinori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OTA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  LIU Yongxun (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  O’UCHI Shinichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TSUKADA Junichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMAUCHI Hiromi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA Takashi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA Meishoku (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ENDO Kazuhiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CA04.1-04CA04.8  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)のバイアス温度不安定性(BTI)を系統的に調べた。TFETにおける正のBTIおよび負のBTI機構は,金属酸化膜半導体FET(MOSFET)におけるものと同じである。TFETでは,トラップはバイアス応力によってhigh-kゲート誘電体中に生成され,および/または,界面層/チャネル界面で界面準位が劣化するが,BTI劣化による閾値電圧(Vth)のシフトは,トラップ,および/または,ソース/ゲート端近傍のバンド間トンネリング(BTBT)領域を特定する界面準位の劣化によって引き起こされる。n型およびp型TFETにおけるBTI寿命は,動作条件に対応するドレインバイアスを印加することによって改善される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *不安定性 ,  *MOSFET ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *表面準位 ,  電圧変動 ,  *トンネル効果 ,  バンド間トンネリング ,  高k誘電体
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ ,  バイアス温度不安定性 ,  高κゲート誘電体 ,  界面準位 ,  閾値電圧シフト

分類 (3件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (32件)：

• J. Appenzeller, Y.-M. Lin, J. Knoch, and Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 93, 196805 (2004).
• W. Y. Choi, B.-G. Park, J. D. Lee, and T.-J. King Liu, IEEE Electron Device Lett. 28, 743 (2007).
• F. Mayer, C. Le Royer, J.-F. Damlencourt, K. Romanjek, F. Andrieu, C. Tabone, B. Previtali, and S. Deleonibus, IEDM Tech. Dig., 2008, p. 163.
• T. Krishnamohan, D. Kim, S. Raghunathan, and K. Saraswat, IEDM Tech. Dig., 2008, p. 947.
• S. H. Kim, H. Kam, C. Hu, and T.-J. King Liu, Symp. VLSI Tech. Dig., 2009, p. 178.

タイトルに関連する用語 (2件)： トンネル電界効果トランジスタ ,  バイアス温度不安定性