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J-GLOBAL ID：201702263791087933   整理番号：17A0953269

化学増幅型極端紫外線レジストの10nmハーフピッチ解像範囲における増感剤濃度とレジスト性能との関係

Relationship between sensitizer concentration and resist performance of chemically amplified extreme ultraviolet resists in sub-10 nm half-pitch resolution region

著者 (3件)： KOZAWA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SANTILLAN Julius Joseph (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN) ,  ITANI Toshiro (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 1  ページ： 016501.1-016501.6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ10nmの解像度を有するリソグラフィプロセスの開発は困難である。線幅粗さ(LWR)などの確率的現象は重要な問題である。本研究では,光分解型クエンチャーを用いた化学増幅型極端紫外光レジストを用いたサブ10nm作製の実現可能性を,LWR抑制の観点から検討した。化学増幅型レジストの増感・反応機構に基づくシミュレーションを用いて,増感剤濃度(酸発生剤と光解離性クエンチャー濃度の和)とレジスト性能との関係を明らかにした。増感剤濃度0.5nm^-3および脱保護の有効反応半径0.1nmについて,10%臨界寸法(CD)LWRを維持しながら到達可能なハーフピッチは11nmであった。0.5nm^-3の全増感剤到達可能なハーフピッチは20%CDLWRの場合7nmであった。有効反応半径の増加は,10%CDLWRを用いたサブ10nm製造を実現するために必要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,  フォトレジスト ,  光増感剤 ,  *フォトリソグラフィー ,  *表面粗さ ,  照射線量 ,  回路パターン形成 ,  消光剤 ,  増感 ,  熱処理 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： EUVレジスト ,  EUVリソグラフィー ,  線幅粗さ ,  ラインエッジ粗さ ,  露光後加熱 ,  露光後ベーク

分類 (2件)： X線技術  (BA02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (41件)：

• H. Kinoshita, K. Kurihara, Y. Ishii, and Y. Torii, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1648 (1989).
• S. Fujii, T. Kozawa, K. Okamoto, J. J. Santillan, and T. Itani, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 086502 (2015).
• S. Fujii, T. Kozawa, K. Okamoto, J. J. Santillan, and T. Itani, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 116501 (2015).
• H. Ito and C. G. Willson, Polym. Eng. Sci. 23, 1012 (1983).
• H. Ito, Microlithography/ Molecular Imprinting (Springer, Heidelberg, 2005) Advances in Polymer Science Series, Vol. 172, p. 37.

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学 ,  増幅 ,  極端紫外線 ,  レジスト ,  ハーフピッチ ,  解 ,  増感剤