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J-GLOBAL ID：201702268637358294   整理番号：17A1221152

TiN/HfO₂/TiN積層体における非ドープHfO₂薄膜の強誘電性

Ferroelectricity of nondoped thin HfO₂ films in TiN/HfO₂/TiN stacks

著者 (7件)： NISHIMURA Tomonori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  XU Lun (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIBAYAMA Shigehisa (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIBAYAMA Shigehisa (Japan Soc. for the Promotion of Sci. (JSPS), Tokyo, JPN) ,  YAJIMA Takeaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 8S2  ページ： 08PB01.1-08PB01.4  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非ドープHfO₂の強誘電性へのTiN界面の影響について報告する。TiN/HfO₂ TiNスタックにおける非ドープHfO₂の強誘電特性は,容量-電圧および分極-電圧特性に現れている。キュリー温度も約500°Cと推定された。非ドープHfO₂の強誘電性は,HfO₂膜を>35nm以下まで薄くすることによって明らかに現れた。熱処理において,TiN上の強誘電体HfO₂膜はTiNでHfO₂の上面を覆うことによって維持されていることを直接明らかにしたが,HfO₂の開放面の場合には常誘電相へ転移することが示された。したがって,本研究における非ドープHfO₂の強誘電性は,主に,上部および下部TiN界面の両方によって駆動されると結論付けられた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *酸化ハフニウム ,  *強誘電性 ,  容量電圧特性 ,  分極 ,  *熱処理 ,  *誘電性
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  二酸化ハフニウム ,  *常誘電性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (27件)：

• T. S. B?scke, J. M?ller, D. Br?uhaus, U. Shcr?der, and U. B?ttger, Appl. Phys. Lett. 99, 102903 (2011).
• J. M?ller, U. Shcr?der, T. S. B?scke, I. W?ller, U. B?ttger, L. Wilde, J. Sundqvist, M. Lemberger, P. K?cher, T. Mikolajick, and L. Frey, J. Appl. Phys. 110, 114113 (2011).
• M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, W. Lee, T. Moon, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 102, 242905 (2013).
• D. Y. Zhou, J. Xu, Q. Li, Y. Guan, F. Cao, X. L. Dong, J. M?ller, T. Schenk, and U. Schr?der, Appl. Phys. Lett. 103, 192904 (2013).
• S. Starschich, D. Griesche, T. Schneller, R. Waser, and U. B?ttger, Appl. Phys. Lett. 104, 202903 (2014).

タイトルに関連する用語 (6件)： TiN ,  HfO2 ,  積層体 ,  ドープ ,  薄膜 ,  強誘電性