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J-GLOBAL ID:201702272126955038   整理番号:17A0953236

原子間力顕微鏡陽極酸化により作製された定電流領域を有するデュアルカットグラフェントランジスタ

Dual-cut graphene transistors with constant-current regions fabricated by the atomic force microscope anode oxidation
著者 (9件):
資料名:
巻: 56  号:ページ: 010307.1-010307.4  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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原子間力顕微鏡(AFM)陽極酸化により,長い非導電性酸化線をグラフェン表面上に作製できることを実証した。この製造技術をデュアルカットトランジスタ構造に使用することにより,カット分離が100nmより小さい場合,室温において,ディラック点近傍の定電流領域の現象が室温で観測される。この結果は,室温でのグラフェンバンドギャップ間隔の現象の証拠を提供し得る。理論的なバンドギャップ値は,密度汎関数導出強結合計算によってさらに推定される。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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