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J-GLOBAL ID：201702275273503218   整理番号：17A1374758

高濃度CF₄ガスを用いた高圧プラズマCVDによるフルオロカーボン膜の形成

著者 (10件)： 田中智之 (大阪大 大学院工学研究科) ,  木倉丈 (大阪大 大学院工学研究科) ,  竹本啓輝 (大阪大 大学院工学研究科) ,  垣内弘章 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  大参宏昌 (大阪大 大学院工学研究科) ,  阿部淳子 (東芝メモリ) ,  酒井伊都子 (東芝メモリ) ,  林久貴 (東芝メモリ) ,  福原成太 (東芝メモリ)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2017  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.G24  発行年： 2017年09月05日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： PPFC(Plasma Polymerization Fluorocarbon)膜は,絶縁性・耐薬品性を有する撥水膜として様々な応用が期待されている。しかし,その原料ガスには,C₄F₈など高次の炭素を含有するフルオロカーボンガスが用いられることがもっぱらであり,PPFC膜の形成を廉価なCF₄で実現できれば,コストメリットは大きい。そこで本研究ではCF₄原料ガスからのPPFC膜の高速形成を目指し,高圧プラズマを用いたCVDの適用を試みた。PPFC膜の形成に寄与するパラメータを調査した結果を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *脂肪族フッ素化合物 ,  *プラズマCVD ,  高圧 ,  *薄膜成長 ,  成長速度 ,  依存性 ,  電子顕微鏡観察 ,  ヘリウム ,  濃度 ,  構成
準シソーラス用語： フッ化炭素 ,  *フルオロカーボン ,  高濃度 ,  走査電子顕微鏡観察 ,  電力依存性 ,  薄膜形成

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

引用文献 (2件)：

• Christopher Lau, et al, :Toxicology and Applied Pharmacology. 198, (2004) 231-241.
• Man, P. F., et al, : J. Microelectromech. Syst. 6, (1997) 25-34.

タイトルに関連する用語 (4件)： 高濃度 ,  高圧 ,  プラズマCVD ,  フルオロカーボン