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J-GLOBAL ID:201702275297083726   整理番号:17A1221110

数層MoSe2の光学二次高調波強度に及ぼすSiO2/Si(001)基板の酸化物厚みの影響

Influence of the oxide thickness of a SiO2/Si(001) substrate on the optical second harmonic intensity of few-layer MoSe2
著者 (7件):
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巻: 55  号:ページ: 085801.1-085801.4  発行年: 2016年08月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光学第二高調波発生(SHG)顕微鏡を用いてSiO2/Si基板上の数層MoSe2の非線形光学特性を調べた。厚みが90nmまたは270nmのSiO2被覆Si(001)基板上に単結晶から数層薄片を機械的に剥離した。単層または三層MoSe2薄片からの入射偏光の回転角の関数としての二次高調波(SH)強度の極性図は三重対称性を示し,単層結晶方位を維持することを示唆した。SHGスペクトルは系内の多重反射SH光ビーム間の干渉を用いて解釈した基板の酸化物厚(90または270nm)に強く依存することが分かった。この干渉を考慮することにより,SHGスペクトルにおいて2.9eV以下の2光子エネルギーで共振ピークを同定した。SHG顕微鏡の空間分解能は0.53μmと推定された。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非線形光学 

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