数層MoSe<sub>2</sub>の光学二次高調波強度に及ぼすSiO<sub>2</sub>/Si(001)基板の酸化物厚みの影響

MIYAUCHI Yoshihiro; MORISHITA Ryo; TANAKA Masatoshi; OHNO Sinya; MIZUTANI Goro; SUZUKI Takanori; SUZUKI Takanori

文献

J-GLOBAL ID：201702275297083726 整理番号：17A1221110

数層MoSe₂の光学二次高調波強度に及ぼすSiO₂/Si(001)基板の酸化物厚みの影響

Influence of the oxide thickness of a SiO₂/Si(001) substrate on the optical second harmonic intensity of few-layer MoSe₂

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 55 号： 8 ページ： 085801.1-085801.4 発行年： 2016年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

光学第二高調波発生(SHG)顕微鏡を用いてSiO₂/Si基板上の数層MoSe₂の非線形光学特性を調べた。厚みが90nmまたは270nmのSiO₂被覆Si(001)基板上に単結晶から数層薄片を機械的に剥離した。単層または三層MoSe₂薄片からの入射偏光の回転角の関数としての二次高調波(SH)強度の極性図は三重対称性を示し,単層結晶方位を維持することを示唆した。SHGスペクトルは系内の多重反射SH光ビーム間の干渉を用いて解釈した基板の酸化物厚(90または270nm)に強く依存することが分かった。この干渉を考慮することにより,SHGスペクトルにおいて2.9eV以下の2光子エネルギーで共振ピークを同定した。SHG顕微鏡の空間分解能は0.53μmと推定された。(翻訳著者抄録)

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非線形光学

引用文献 (29件)：

A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Nature 499, 419 (2013).
L. M. Malard, T. V. Alencar, A. P. M. Barboza, K. F. Mak, and A. M. Paula, Phys. Rev. B 87, 201401 (2013).
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A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C. Y. Chim, G. Galli, and F. Wang, Nano Lett. 10, 1271 (2010).

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数層MoSe₂の光学二次高調波強度に及ぼすSiO₂/Si(001)基板の酸化物厚みの影響