文献

J-GLOBAL ID：201702286882171609   整理番号：17A1810907

SiCの表面分解法によるグラフェンのエピタキシャル成長に対するイオンビーム照射の効果

Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method

著者 (6件)： ISHII Junko (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  ISHII Junko (Kitakyushu Coll., Kitakyushu, JPN) ,  MIYAWAKI Yasuhiro (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  YAMASAKI Takayuki (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  IKARI Tomonori (Ube Coll., Yamaguchi, JPN) ,  NAITOH Masamichi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8  ページ： 085104.1-085104.4  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型トンネル顕微鏡法と低エネルギー電子回折およびRaman分光法を利用して,SiCの表面分解法によるイオンビーム照射した3C-SiC(111)/SiO₂/Si(111)表面上へのグラフェンの成長を調べた。Ar⁺イオンビーム照射なしでは,1100°C,3minの3C-SiC(111)面の焼なまし後にグラフェンを得ることができなかった。3C-SiC(111)面を加速電圧1keVのAr⁺イオンビームで,入射角80°で照射し,次いで1100°C,30min,焼なました場合に,グラフェンがSiC表面に形成された。しかし,Ar⁺イオンビームを70または60°の入射角で使った場合は,グラフェン層は形成されなかった。これらの結果はイオンビーム照射によるSiC(111)基板の表面領域の結合の破壊がグラフェンの形成を促進していることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *グラフェン ,  *エピタクシー ,  *イオン照射 ,  アルゴン ,  焼なまし ,  入射角 ,  角度依存性 ,  開裂反応 ,  表面 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  低速電子回折 ,  Raman分光法 ,  空格子点 ,  周期構造 ,  単分子層 ,  *薄膜成長 ,  結合切断
準シソーラス用語： 低エネルギー電子回折 ,  表面分解法

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

引用文献 (25件)：

• Y.-M. Lin, A. V. Garcia, S.-J. Han, D. B. Farmer, I. Meric, Y. Sun, Y. Wu, C. Dimitrakopoulos, A. Grill, P. Avouris, and K. A. Jenkins, Science 332, 1294 (2011).
• Y. Q. Wu, P. D. Ye, M. A. Capano, Y. Xuan, Y. Sui, M. Qi, and J. A. Cooper, Appl. Phys. Lett. 92, 092192 (2008).
• J. S. Moon, D. Curtis, D. Zehnder, S. Kim, D. K. Gaskill, G. G. Jernigan, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, P. M. Campbell, K.-M. Lee, and P. Asbeck, IEEE Electron Device Lett. 32, 270 (2011).
• Y. Wu, K. A. Jenkins, A. V. Garcia, D. B. Farmer, Y. Zhu, A. A. Bol, C. Dimitrakopoulos, W. Zhu, F. Xia, P. Avouris, and Y. M. Lin, Nano Lett. 12, 3062 (2012).
• C. Berger, Z. Song, T. Li, X. Li, A. Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. Dai, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. de Heer, J. Phys. Chem. B 108, 19912 (2004).

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  表面分解法 ,  グラフェン ,  エピタキシャル成長 ,  イオンビーム照射