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文献
J-GLOBAL ID:201702286882171609   整理番号:17A1810907

SiCの表面分解法によるグラフェンのエピタキシャル成長に対するイオンビーム照射の効果

Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method
著者 (6件):
資料名:
巻: 56  号:ページ: 085104.1-085104.4  発行年: 2017年08月
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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走査型トンネル顕微鏡法と低エネルギー電子回折およびRaman分光法を利用して,SiCの表面分解法によるイオンビーム照射した3C-SiC(111)/SiO2/Si(111)表面上へのグラフェンの成長を調べた。Ar+イオンビーム照射なしでは,1100°C,3minの3C-SiC(111)面の焼なまし後にグラフェンを得ることができなかった。3C-SiC(111)面を加速電圧1keVのAr+イオンビームで,入射角80°で照射し,次いで1100°C,30min,焼なました場合に,グラフェンがSiC表面に形成された。しかし,Ar+イオンビームを70または60°の入射角で使った場合は,グラフェン層は形成されなかった。これらの結果はイオンビーム照射によるSiC(111)基板の表面領域の結合の破壊がグラフェンの形成を促進していることを示している。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
薄膜成長技術・装置  ,  炭素とその化合物  ,  電子ビーム・イオンビームの応用 
引用文献 (25件):
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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