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J-GLOBAL ID：201702286947242749   整理番号：17A1619290

ウェットエッチングを利用したSiの砥粒フリースライシング

Novel Abrasive-Free Slicing Method for Si Using Wet Chemical Etching

著者 (1件)： 村田順二 (近畿大学)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 83  号： 9  ページ： 837-840(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者らは,機械加工によらないSiインゴットのスライシング法の一つとして,ウェットエッチングを利用した新しい切断技術「エッチング援用スライシング」を開発している。この加工技術は,エッチング液中で走行するワイヤがSiインゴットと接触し相対運動を行うことで,化学的な作用を主体として加工を行うものである。本稿では,開発した加工技術により単結晶Siに加工を施し,その加工特性や加工面品質について紹介した。従来の機械加工によるスライシングと異なり,ダメージフリーで加工が可能であることが最大の特徴である。

シソーラス用語： *ウェットエッチング ,  ケイ素 ,  *砥粒 ,  切削 ,  インゴット
準シソーラス用語： Si ,  スライシング

著者キーワード (10件)： photovoltaic Si ,  slicing ,  chemical etching ,  surface damage ,  wire sawing ,  photovoltaic Si ,  slicing ,  chemical etching ,  surface damage ,  wire sawing

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  研削・研摩材  (YC06020Q)

引用文献 (7件)：

• 1) C.L. Lee, Y. Kanda, S. Ikeda and M. Matsumura : Electrochemical method for slicing Si blocks into wafers using platinum wire electrodes, Solar Energy Materials and Solar Cells, 95, 2 (2011) 716.
• 2) 森勇藏, 山内和人, 山村和也, 佐野泰久: プラズマ CVMによる機能材料の切断加工—内周刃型切断加工装置の試作とその切断加工特性—, 精密工学会誌, 67, 2 (2001) 295.
• 3) 宇野義幸, 岡本康寛, 岡田晃: シリコンインゴットのマルチワイヤ放電スライシング技術, 砥粒加工学会誌, 53, 11 (2009) 663.
• 4) 村田順二, 土田剛史, 谷泰弘, 張宇: ワイヤ擦過援用ウェットエッチングによるシリコンの高アスペクト比溝形成 (シリコンインゴットの切断に向けた基礎的検討), 日本機械学会論文集, 80, 813 (2014) SMM0111.
• 5) 大見忠弘, 長谷部類, 吉田達郎, 内村徹平, 添田一喜, 平塚亮輔, 吉川利博, 須川成利, 村川順之: シリコン表面の室温三工程洗浄技術と超高速ウェットエッチングによるウェーハ薄化技術, 表面技術研究会2012講演予稿集, (2012) 1.

タイトルに関連する用語 (4件)： ウェットエッチング ,  Si ,  砥粒 ,  スライシング