特許
J-GLOBAL ID:201703000094306211
イメージセンサのための感光性キャパシタ画素
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
西島 孝喜
, 弟子丸 健
, 田中 伸一郎
, 大塚 文昭
, 須田 洋之
, 上杉 浩
, 近藤 直樹
, 岸 慶憲
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-055392
公開番号(公開出願番号):特開2016-178302
特許番号:特許第6163221号
出願日: 2016年03月18日
公開日(公表日): 2016年10月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】 イメージセンサ画素であって、
感光性キャパシタと、
トランジスタネットワークと、
を備え、前記感光性キャパシタは、
軸に沿って延びる電極と、
前記電極の周囲に配置された導電層と、
前記導電層と前記電極との間に、該導電層が該電極に接触しないように形成された誘電体層と、
画像光に応答して画像信号を生成するための、前記誘電体層と前記電極との間に配置された感光性半導体材料と、
を含み、前記トランジスタネットワークは、前記感光性キャパシタの前記電極から前記画像信号を読み出すように結合され、
前記導電層は、相互接続層内におけるキャビティのキャビティ壁に沿って形成され、
前記誘電体層は、前記キャビティ内の前記導電層上に形成され、
前記感光性半導体材料は、前記キャビティ内の前記誘電体層上に形成され、
前記電極は、前記感光性半導体材料、前記誘電体層及び前記相互接続層を通る電極キャビティを少なくとも部分的に導電性材料で満たして形成される、
ことを特徴とするイメージセンサ画素。
IPC (3件):
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 31/00 ( 200 6.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
FI (3件):
H01L 27/146 E
, H01L 31/00 B
, H04N 5/374
引用特許:
出願人引用 (10件)
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イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-288719
出願人:ドンブハイテックカンパニーリミテッド
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光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-196647
出願人:キヤノン株式会社
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イメージセンサ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-294273
出願人:ドンブハイテックカンパニーリミテッド
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特開昭63-020869
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固体撮像装置およびその駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-213964
出願人:パナソニック株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-216577
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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光電変換装置及び画像読取装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-332898
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開昭61-203669
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イメージセンサー及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-232731
出願人:ドンブハイテックカンパニーリミテッド
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-333372
出願人:株式会社日立製作所
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審査官引用 (10件)
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イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-288719
出願人:ドンブハイテックカンパニーリミテッド
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光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-196647
出願人:キヤノン株式会社
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イメージセンサ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-294273
出願人:ドンブハイテックカンパニーリミテッド
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特開昭63-020869
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固体撮像装置およびその駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-213964
出願人:パナソニック株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-216577
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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光電変換装置及び画像読取装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-332898
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開昭61-203669
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イメージセンサー及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-232731
出願人:ドンブハイテックカンパニーリミテッド
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-333372
出願人:株式会社日立製作所
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