検査装置及び検査方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-039768
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157692
出願日： 2016年03月02日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
要約：

【課題】光ビームに対する半導体試料の好適な位置を低コストで決定する技術を提供する。【解決手段】太陽電池が、試料台に保持されるS10。そして、太陽電池の主面を撮影して取得された主面画像に基づいて、太陽電池の厚さ方向における仮検査用位置が決定されるS20。続いて、太陽電池を仮検査用位置及び仮検査用位置とはZ軸方向に異なる鉛直位置に配された太陽電池にパルス光を照射することで放射されるテラヘルツ波各々の強度に基づいて、検査用位置が決定されるS30。そして、検査用位置に配された太陽電池にパルス光が配された状態で、太陽電池の検査が行われるS40。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

光ビームの照射に応じて半導体試料から放射されるテラヘルツ波を検出する検査装置であって、前記半導体試料を保持する保持部と、前記半導体試料からテラヘルツ波を放射させる光ビームを、光学系で集光して、前記保持部に保持されている前記半導体試料の主面に照射する光ビーム照射部と、前記保持部に保持されている前記半導体試料から放射される前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、前記光ビームの光路に対して、前記保持部を前記主面に交差する厚さ方向に移動させる第一移動機構と、前記主面の外観像を得る外観像取得部と、前記外観像に基づき、前記光路に対して前記半導体試料が配される前記厚さ方向の第一位置を決定する第一位置決定部と、前記第一位置及び前記第一位置とは前記厚さ方向に異なる位置に配された前記半導体試料に前記光ビームを照射することで放射される前記テラヘルツ波各々の強度に基づいて、前記光路に対して前記半導体試料が配される前記厚さ方向の第二位置を決定する第二位置決定部と、を備える、検査装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01N 21/358

FI (2件)：

H01L21/66 C , G01N21/3586

Fターム (19件)：

2G059AA05 , 2G059BB15 , 2G059DD12 , 2G059DD13 , 2G059EE02 , 2G059FF01 , 2G059FF04 , 2G059GG01 , 2G059GG08 , 2G059HH01 , 2G059HH02 , 2G059JJ22 , 2G059KK01 , 2G059KK04 , 2G059MM01 , 4M106AA01 , 4M106AA20 , 4M106CA17 , 4M106DE18

引用特許：

審査官引用 (5件)

検査装置および検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-033781 出願人：大日本スクリーン製造株式会社, 国立大学法人大阪大学
半導体検査方法および半導体検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-214229 出願人：大日本スクリーン製造株式会社, 国立大学法人大阪大学
検査装置および検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-061679 出願人：株式会社SCREENホールディングス, 国立大学法人大阪大学

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