特許

J-GLOBAL ID：201703001241891008

III族窒化物結晶の製造方法

発明者： 森 勇介 ,  今出 完 ,  信岡 政樹 ,  岡山 芳央 ,  小松 真介
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-061608
公開番号（公開出願番号）：特開2017-171552
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：

【課題】成長中のGaN結晶におけるインクルージョンを効果的に除去することができるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、III族金属と、フラックスとを含む混合融液、および、窒素から種結晶基板上にIII族窒化物結晶を製造する製造工程を有するIII族窒化物結晶の製造方法であって、製造工程において、混合融液中におけるIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長領域に変動磁界を加えながら、種結晶基板上にIII族窒化物結晶を成長させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

III族金属と、フラックスとを含む混合融液、および、窒素から種結晶基板上にIII族窒化物結晶を製造する製造工程を有するIII族窒化物結晶の製造方法であって、 前記製造工程において、前記混合融液中における前記III族窒化物結晶を成長させる結晶成長領域に変動磁界を加えながら、前記種結晶基板上に前記III族窒化物結晶を成長させる、 III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/10

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B19/10

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG07 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA11 ,  4G077QA28 ,  4G077QA29 ,  4G077RA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-196553   出願人：三菱化学株式会社
• III族窒化物結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-053352   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物単結晶の製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-249645   出願人：住友金属工業株式会社