炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-119486
公開番号（公開出願番号）：特開2012-246215
出願日： 2012年05月25日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、前記基板と前記前駆体膜との間の触媒膜、及び前記前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、前記基板を熱処理し、前記基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法。

IPC (10件)：

C01B 31/02 , C01B 31/04 , H01M 4/88 , H01B 13/00 , H01L 51/42 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/02 , H05B 33/26 , H01L 31/04

FI (11件)：

C01B31/02 101Z , C01B31/04 101Z , H01M4/88 C , H01B13/00 503Z , H01L31/04 D , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/02 , H05B33/26 Z , H01L31/04 H , H01L31/04 M

Fターム (70件)：

3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC12 , 3K107CC45 , 3K107DD13 , 3K107DD14 , 3K107DD15 , 3K107DD16 , 3K107DD18 , 3K107DD23 , 3K107DD42X , 3K107FF15 , 3K107FF17 , 4G146AA01 , 4G146AA02 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AC20B , 4G146AD23 , 4G146AD25 , 4G146AD29 , 4G146AD30 , 4G146BA22 , 4G146BA24 , 4G146BB07 , 4G146BB10 , 4G146BB15 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC03 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC27 , 4G146BC34B , 4G146BC37B , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146CA02 , 5F151AA11 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151FA18 , 5G323AA03 , 5H018BB01 , 5H018DD08 , 5H018EE02 , 5H018EE03 , 5H018EE04 , 5H018EE05 , 5H018EE06 , 5H018EE11 , 5H018EE12 , 5H018HH03 , 5H018HH08 , 5H050AA19 , 5H050BA17 , 5H050CA14 , 5H050CB07 , 5H050DA04 , 5H050DA10 , 5H050EA08 , 5H050GA02 , 5H050GA12 , 5H050GA22 , 5H050HA04 , 5H050HA14

引用特許：

審査官引用 (10件)

集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-226457 出願人：富士通株式会社
炭素系薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-004370 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-001670 出願人：富士通株式会社

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