半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：速水進治 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-199932
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131736
出願日： 2012年09月11日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】寄生抵抗を低減し、低損失化した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板SB1の少なくとも一面側には、窒化物半導体からなる窒化物半導体層NS1が設けられている。不純物領域(ソース領域SR1およびドレイン領域DR1など)は、窒化物半導体層NS1の一面側に設けられており、第1導電型の不純物を含んでいる。また、非晶質の非晶質領域(第1の非晶質領域FA1および第2の非晶質領域SA1)は、不純物領域の一部であり、不純物領域の表層に位置している。また、金属層(ソース電極SE1およびドレイン電極DE1)は、非晶質領域(第1の非晶質領域FA1および第2の非晶質領域SA1)に接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一面側に窒化物半導体からなる窒化物半導体層を有する半導体基板と、前記窒化物半導体層の前記一面側に設けられた第1導電型の不純物を含む不純物領域と、当該不純物領域の一部であり、前記不純物領域の表層に位置する非晶質の非晶質領域と、前記非晶質領域に接する金属層と、を備える半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/28 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/417 , H01L 21/265

FI (9件)：

H01L21/28 301B , H01L29/80 H , H01L29/80 L , H01L29/80 F , H01L29/78 301B , H01L21/28 A , H01L29/50 M , H01L21/265 601Q , H01L21/265 601A

Fターム (108件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD84 , 4M104FF21 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG02 , 4M104GG08 , 4M104HH15 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GR16 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GT08 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC07 , 5F102HC21 , 5F140AA25 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF43 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG38 , 5F140BH14 , 5F140BH18 , 5F140BH30 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ25 , 5F140BJ26 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC12 , 5F140CD08

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置およびそれを備えた電子回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-002971 出願人：シャープ株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-129637 出願人：古河電気工業株式会社
窒化物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-125321 出願人：新日本無線株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Annealing of ion implanted gallium nitride

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