特許
J-GLOBAL ID：201303067690340386

窒化物半導体装置

発明者：
岩上 信一

岩上 信一 について

, 
金子 信男

金子 信男 について

, 
馬場 良平

馬場 良平 について

, 
金子 修一

金子 修一 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-173507
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038239
出願日： 2011年08月09日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【課題】ドレイン電極配線によって形成されるフィールドプレートに起因する電流コラプス現象への影響が抑制された窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなる機能層20と、機能層20上に離間して配置されたソース電極3及びドレイン電極4と、ソース電極3とドレイン電極4間で機能層20上に配置されたゲート電極5と、機能層20上に配置された層間絶縁膜7と、層間絶縁膜7上に配置され、ドレイン電極4と電気的に接続されたドレイン電極配線41とを備える窒化物半導体装置であって、ゲート電極5とドレイン電極4間において、層間絶縁膜7を介してドレイン電極配線41が機能層20と対向する領域を有さない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる機能層と、 前記機能層上に離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極間で前記機能層上に配置されたゲート電極と、 前記機能層上に配置された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に配置され、前記ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン電極配線と を備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極間において、前記層間絶縁膜を介して前記ドレイン電極配線が前記機能層と対向する領域を有さないことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/44 Y ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/88 Z
Fターム (48件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033RR04 ,  5F033TT02 ,  5F033UU04 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX26 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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